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DC/DC-Wandler der neuen Serien QA_(T)-R3G liefern eine isolierte positive und eine isolierte negative Betriebsspannung für Treiber von IGBTs und SiC-MOSFETs.

Mit den DC/DC-Wandlern der Serien QA_(T)-R3G hat Mornsun das Portfolio seiner Stromversorgungen für Treiber von IGBTs und SiC-MOSFETs kürzlich erneut modernisiert. Zu den verbesserten Eigenschaften der neuen Module gehören Wirkungsgrade bis 87%, kapazitive Lasten bis 2.200µF, Brummspannungen unter 50mVpp, Isolationskapazitäten bis 2,5pF und eine ESD-Störfestigkeit bis ±8kV. Die verstärkte Isolation zwischen dem Eingangs- und dem Ausgangskreis ist ausgelegt für Dauerbelastungen bis 2.500V bzw. Testspannungen bis 5.000VAC.

* QAW123-1509R3(G): Eingangsspannung 12V ±25%

Die neuen Serien QA_(T)-R3G umfassen insgesamt 45 Einzelprodukte, jeweils mit einer nominellen Eingangsspannung von 5V, 12V, 15V oder 24V, einer positiven Ausgangsspannung von 15V (IGBT) bzw. 15V, 18V oder 20V (SiC-MOSFET) und einer negativen Ausgangsspannung von 8,7V oder 9V (IGBT) bzw. 2,5V, 3V, 3,5V, 4V oder 5V (SiC-MOSFET). Zu ihrer erstklassigen Spezifikation gehören eine MTBF (Mean Time Between Failures) über 3,5 Mio. Stunden, ein Schutz des Ausgangs vor Kurzschluss und ein Einsatztemperaturbereich von -40°C bis +105°C. Die neuen Wandler werden in kompakten Gehäusen für die Oberflächenmontage (Serien QA_T-R3G) bzw. SIP-Durchsteckmontage (Serien QA-R3G) geliefert.

Anwendungsbereiche

DC/DC-Wandler der Serien QA_(T)-R3G sind ideale Stromversorgungen für IGBT- und SiC-MOSFET-Treiber in Fotovoltaik-Anlagen und Ladestationen für Elektroautos.

Eigenschaften

- Typ der Isolation: verstärkte Isolation

- Isolationsfestigkeit (I/O, 1 Minute) 5.000 VAC

- Isolationsfestigkeit (I/O, Dauerbelastung) 2.500 V (QA_T-R3G, typ.)

- Isolationsfestigkeit (I/O, Dauerbelastung) 1.700 V (QA-R3(G), min.)

- Isolationskapazität (I/O) nur 2,5pF (QA_T-R3G, typ.)

- Isolationskapazität (I/O) nur 3,5pF (QA-R3(G), typ.)

- CMTI (I/O) ±200 kV/µs (min.)

- kapazitive Last 2200µF (max.)

- Schutz vor Kurzschluss

- Einsatztemperaturbereich -40°C bis +105°C

- kompaktes SMD-Gehäuse (QA_T-R3G, 23,11 x 22,61 x 9,85 mm)

- kompaktes SIP-Gehäuse (QA-R3(G), 19,5 x 9,8 x 12,5 mm)

- hohe Produktsicherheit

- geringe EM-Störaussendungen

- hohe EM-Störfestigkeit

- CE-Status & relevante Normen: siehe Datenblatt

* Der vorstehende Bericht ist rein informativ. Detaillierte Produkteigenschaften können dem aktuellen Datenblatt entnommen werden.