Eine für Dauerbelastungen bis 1.700V ausgelegte Isolation und weitere erstklassige elektrische Eigenschaften kennzeichnen die Stromversorgungen QA_3(C/H/HC)-R3 für IGBT/SiC-MOSFET-Treiber.
Mit den DC/DC-Wandlern der Serien QAxx3(H)-R3 und QAxx3(H)C-R3 hat Mornsun das Portfolio seiner Stromversorgungen für Treiber von Si-IGBTs bzw. SiC-MOSFETs kürzlich umfassend modernisiert. Zu den verbesserten Eigenschaften der neuen Module gehören Wirkungsgrade bis 87%, kapazitive Lasten bis 2.200µF, Brummspannungen unter 50mVpp, Isolationskapazitäten unter 3,5pF und eine ESD-Störfestigkeit bis ±8kV. Die Isolation aller Wandler ist für eine Dauerbelastung von 1.700V ausgelegt, Versionen mit dem Buchstaben “H“ in der Artikelbezeichnung verfügen außerdem über Luft- und Kriechstrecken mit einer Mindestlänge von 14,14 mm.
DC/DC-Wandler QA_3(C/H/HC)-R3 für IGBT/SiC-Treiber | |||||
geeignet | Eingangs-spannung | Artikelnummer | Ausgangs-spannungen | Isolation | |
Standard-Versionen | Lu./Kr.-Strecken | ||||
IGBT | 5V ±10% | QA053-1509R3 | - | +15V / -8,7V | 5 kVAC
1.700V
1 GOhm
3,5 pF |
12V ±10% | QA123-1509R3 | QA123H-1509R3 | +15V / -9,0V | ||
12V ±25% | QAW123-1509R3 | - | |||
15V ±10% | QA153-1509R3 | QA153H-1509R3 | |||
24V ±10% | QA243-1509R3 | QA243H-1509R3 | |||
SiC | 5V ±10% | QA053C-1505R3 | - | +15V / -5,0V | |
QA053C-1803R3 | - | +18V / -3,5V | |||
QA053C-2004R3 | - | +20V / -4,0V | |||
12V ±10% | QA123C-1502R3 | - | +15V / -2,5V | ||
QA123C-1803R3 | - | +18V / -3,0V | |||
QA123C-1504R3 | QA123HC-1504R3 | +15V / -4,0V | |||
15V ±10% | QA153C-1504R3 | QA153HC-1504R3 | |||
24V ±10% | QA243C-1504R3 | QA243HC-1504R3 | |||
12V ±10% | QA123C-2005R3 | QA123HC-2005R3 | +20V / -5,0V | ||
15V ±10% | QA153C-2005R3 | QA153HC-2005R3 | |||
24V ±10% | QA243C-2005R3 | QA243HC-2005R3 |
Zu den neuen Serien QA_3(C/H/HC)-R3 gehören insgesamt 25 Produkte mit einer nominellen Eingangsspannung von 5V, 12V, 15V oder 24V, einer positiven Ausgangsspannung von 15V, 18V oder 20V (SiC) bzw. 15V (IGBT) und einer negativen Ausgangsspannung von 2,5V, 3V, 3,5V, 4V oder 5V (SiC) bzw. 8,7V oder 9V (IGBT). Zu ihrer erstklassigen Spezifikation gehören eine MTBF (Mean Time Between Failures) über 3,5 Mio. Stunden, ein Schutz des Ausgangs vor Kurzschluss und ein Einsatztemperaturbereich von -40°C bis +105°C. Die neuen DC/DC-Wandler werden in vollständig vergossenen, kompakten SIL-Gehäusen mit fünf Anschlüssen geliefert.
Anwendungen
DC/DC-Wandler der Serien QA_3(C/H/HC)-R3 eignen sich für die Versorgung von Treibern für Si-IGBTs und SiC-MOSFETs in leistungselektronischen Systemen mit Spannungen bis 1.700V. Typische Einsatzfälle sind Wechselrichter, Schweißmaschinen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladesäulen und Windenergieanlagen.
Eigenschaften
- Eingangsspannung 5V, 12V, 15V oder 24V
- Ausgangsspannung 1: 15V, 18V oder 20V (SiC); 15V (IGBT)
- Ausgangsspannung 2: -2,5V, -3V, -3,5V, -4V oder -5V (SiC); -8,7V oder -9,0V (IGBT)
- verstärkte Isolierung (reinforced insulation)
- Isolationsfestigkeit (I/O, 1 Minute) 5 kVAC
- Isolationsfestigkeit (I/O, Dauerbetrieb, EN61800-5-1) 1.700 V
- Isolationskapazität (I/O) nur 3,5pF (typ.)
- MTBF (MIL-HDBK-217F@25℃) über 3,5 Mio. Stunden
- Brummspannungen unter 50mVpp
- Wirkungsgrade bis 87%
- kapazitive Lasten bis 2200µF
- Einsatztemperatur -40°C bis +105°C
- Schutz vor Kurzschluss
- EM-Störaussendungen kompatibel mit CISPR32/EN55032, Klasse A oder B (mit ext. Komponenten)
- EM-Störfestigkeit kompatibel mit IEC/EN61000-4-2
- kompakte 5-polige SIL-Gehäuse
- geeignet für Treiber von Si-IGBTs und SiC-MOSFETs in 1.700V-Systemen