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Mit den Modulen QAxx3D-2GR3 hat Mornsun kürzlich drei besonders effektive und zuverlässige Doppelstromversorgungen für Treiber von Si-IGBTs und SiC-MOSFETs vorgestellt. Die neuen Wandler für nominelle Eingangsspannungen von 12V (QA123D), 15V (QA153D) und 24V (QA243D) verfügen über zwei 24V-Ausgänge, die jeweils für Ströme bis 100mA ausgelegt sind. Zu ihren erstklassigen Spezifikationen gehören weiter Wirkungsgrade bis 88%, Lastkapazitäten bis 200µF, ein Temperaturbereich von -40°C bis +105°C und geringe Abmessungen von nur 31,6 x 20,3 x 10,2 mm.

Die Stromversorgungen QAxx3D-2GR3 erreichen hohe Zuverlässigkeiten auch beim Einsatz in Systemen mit Spannungen bis 1700V. Dazu verfügen sie über verstärkte Isolierungen zwischen beiden Ausgängen und von jedem Ausgang zum Eingang mit einer hohen Spannungsfestigkeit von 5.000VAC, große Luft- und Kriechstrecken von 24,9mm (Eingang/Ausgang) und 14,74mm (Ausgang/Ausgang) und geringe Isolationskapazitäten von nur 3,5pF. Mit einem CTI-Wert (Comparative Tracking Index) über 600 erfüllen sie darüber hinaus auch die Anforderungen der Isolierstoffgruppe I. 

Anwendungen 

Die Doppelspannungsquellen QAxx3D-2GR3 können für die Versorgung einer Vielzahl von Treibern für IGBTs und MOSFETs in leistungselektronischen Systemen mit Spannungen bis 1700V eingesetzt werden. Dazu gehören z.B. Wechselrichter, Schweißmaschinen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Windenergieanlagen und Ladesäulen. 

Eigenschaften 

- Eingangsspannung 12V, 15V bzw. 24V 

- Ausgang 1: 24V/100mA, Ausgang 2: 24V/100mA 

- verstärkte Isolierung 

- Isolationsspannung E/A und A1/A2: 5 kVAC 

- geringe Isolationskapazität 3,5pF (typ.) 

- Isolierstoffgruppe I (CTI ≥ 600) für gesamtes Modul 

- Wirkungsgrade bis 88% 

- kapazitive Lasten bis 200µF 

- Einsatztemperatur -40°C bis +105°C 

- Schutz vor Kurzschluss 

- Sicherheit kompatibel mit EN62368, EN61800-5, EN50178 

- EM-Störaussendung kompatibel mit CISPR32/EN55032 Class A (mit ext. Komponenten) 

- EM-Störfestigkeit kompatibel mit IEC/EN61000-4-2 

- geeignet für Treiber von Si-IGBTs und SiC-MOSFETs in 1700V-Systemen 

*Der vorstehende Bericht ist rein informativ. Detaillierte Produkteigenschaften können dem aktuellen Datenblatt entnommen werden.